射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
IRF6614TR1PBF - IR
IR代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
IR产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IRF6614TR1PBF 图片
IRF6614TR1PBF
  • 制造厂家：IR（International Rectifier，英飞凌INFINEON）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:DIRECTFET ST
  • 技术参数：MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
  • 需要IRF6614TR1PBF的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
IRF6614TR1PBF 技术参数详情：
  • 型号:IRF6614TR1PBF
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:DIRECTFET ST
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.7A（Ta），55A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.3 毫欧 @ 12.7A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.25V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2560 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），42W（Tc）
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DIRECTFET ST
  • 封装/外壳:DirectFET 等容 ST
  • 快速提供IRF6614TR1PBF专业且全面的报价，IR代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
IR品牌LOGO
更多IR产品：
IR公司授权代理商
Magnetics
Apex Tool Group
Essentra
AEI
AKM
IRF6614TR1PBF（制造商：IR） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台