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IRF5810TR - IR
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图片信息
IRF5810TR 图片
IRF5810TR
  • 制造厂家：IR（International Rectifier，英飞凌INFINEON）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:6-TSOP
  • 技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
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IRF5810TR 技术参数详情：
  • 型号:IRF5810TR
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:6-TSOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）:20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2.9A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.6nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650pF @ 16V
  • 功率 - 最大值:960mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
  • 供应商器件封装:6-TSOP
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