射频微波器件采购网,轻松满足您的射频微波器件采购需求
IR代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力,轻松满足您的射频微波器件采购需求
IR产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IRF3706L 图片
  • 制造厂家:IR(International Rectifier,英飞凌INFINEON)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-262
  • 技术参数:MOSFET N-CH 20V 77A TO262
  • 需要IRF3706L的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价,满足您的目标价格
IRF3706L 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IRF3706L
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO262
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:HEXFET
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):77A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.8V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8.5 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):35nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2410pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):88W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-262
  • 快速提供IRF3706L专业且全面的报价,IR代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
IR品牌LOGO
更多IR产品:
IRF3706L(制造商:IR) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台