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H26M31001EFR - Hynix
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Hynix产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
H26M31001EFR 图片
H26M31001EFR
  • 制造厂家：Hynix（SKHynix，海力士）
  • 类别封装：Memory chips，BGA
  • 技术参数：Memory chips
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H26M31001EFR 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：H26M31001EFR
  • 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
  • 描述：IC DRAM Memory chips
  • 产品系列：存储器
  • 包装：散装
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 存储器类型： -
  • 存储器格式：DRAM
  • 技术：SDRAM - DDR2
  • 存储容量： -
  • 存储器接口： -
  • 时钟频率： -
  • 写周期时间-字，页： -
  • 访问时间： -
  • 电压-供电： -
  • 工作温度： -
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装： -
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