RLD03N06CLESM - Harris
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图片信息
RLD03N06CLESM
制造厂家:
Harris (Harris Corporation, 哈里斯)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:-
技术参数:
N-CHANNEL POWER MOSFET
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RLD03N06CLESM 技术参数详情:
型号:RLD03N06CLESM
品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
系列:*
包装:散装
产品状态:在售
FET 类型:-
技术:-
漏源电压(Vdss):-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
FET 功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:-
供应商器件封装:-
封装/外壳:-
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RLD03N06CLESM
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