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RF1S630 - Harris
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图片信息
RF1S630 图片
RF1S630
  • 制造厂家：Harris (Harris Corporation, 哈里斯)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:-
  • 技术参数：MOSFET N-CH 200V 9A
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RF1S630 技术参数详情：
  • 型号:RF1S630
  • 品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 9A
  • 系列:*
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 技术:-
  • 配置:-
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
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