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IRFD313 - Harris
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图片信息
IRFD313 图片
IRFD313
  • 制造厂家：Harris (Harris Corporation, 哈里斯)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:4-DIP，Hexdip
  • 技术参数：N-CHANNEL POWER MOSFET
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IRFD313 技术参数详情：
  • 型号:IRFD313
  • 品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
  • 封装:4-DIP，Hexdip
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:350 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:135 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:1W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:4-DIP，Hexdip
  • 封装/外壳:4-DIP（0.300
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