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HGTD3N60B3S - Harris
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图片信息
HGTD3N60B3S 图片
HGTD3N60B3S
  • 制造厂家：Harris (Harris Corporation, 哈里斯)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:TO-252（DPAK）
  • 技术参数：IGBT 600V 7A TO-252
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HGTD3N60B3S 技术参数详情：
  • 型号:HGTD3N60B3S
  • 品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
  • 封装:TO-252（DPAK）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 7A TO-252
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:7 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，3.5A
  • 功率 - 最大值:33.3 W
  • 开关能量:66J（导通），88J（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:21 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/105ns
  • 测试条件:480V，3.5A，82 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):16 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
  • 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
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