HGTD10N40F1 - Harris
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图片信息
HGTD10N40F1
制造厂家:
Harris (Harris Corporation, 哈里斯)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:IPAK
技术参数:
IGBT 400V 12A IPAK
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HGTD10N40F1 技术参数详情:
型号:HGTD10N40F1
品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
封装:IPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT 400V 12A IPAK
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):400 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):12 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):-
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.5V @ 10V,5A
功率 - 最大值:75 W
开关能量:-
输入类型:标准
栅极电荷:13.4 nC
25°C 时 Td(开/关)值:-
测试条件:-
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
供应商器件封装:IPAK
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