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HGT1S15N120C3S - Harris
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图片信息
HGT1S15N120C3S 图片
HGT1S15N120C3S
  • 制造厂家：Harris (Harris Corporation, 哈里斯)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:TO-263AB
  • 技术参数：IGBT 1200V 35A TO-263AB
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HGT1S15N120C3S 技术参数详情：
  • 型号:HGT1S15N120C3S
  • 品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
  • 封装:TO-263AB
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 1200V 35A TO-263AB
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，15A
  • 功率 - 最大值:164 W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:100 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:-
  • 测试条件:-
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
  • 供应商器件封装:TO-263AB
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