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BDX33CP2 - Harris
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图片信息
BDX33CP2 图片
BDX33CP2
  • 制造厂家：Harris (Harris Corporation, 哈里斯)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管，封装:-
  • 技术参数：NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
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BDX33CP2 技术参数详情：
  • 型号:BDX33CP2
  • 品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
  • 描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
  • 系列:*
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:-
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:-
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:-
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:-
  • 功率 - 最大值:-
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
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