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G6N90F - Goford
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图片信息
G6N90F 图片
G6N90F
  • 制造厂家：Goford (Goford Semiconductor, 高福特)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:-
  • 技术参数：MOSFET N-CH 900V 6A 69W 3(MAX) T
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G6N90F 技术参数详情：
  • 型号:G6N90F
  • 品牌:Goford Semiconductor (Goford)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 900V 6A 69W 3(MAX) T
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:900 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 3A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 450 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:69W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:-
  • 封装/外壳:-
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