射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
G350P02LLE - Goford
Goford代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Goford产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
G350P02LLE 图片
G350P02LLE
  • 制造厂家：Goford (Goford Semiconductor, 高福特)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:SOT-23-6L
  • 技术参数：P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
  • 需要G350P02LLE的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
G350P02LLE 技术参数详情：
  • 型号:G350P02LLE
  • 品牌:Goford Semiconductor (Goford)
  • 封装:SOT-23-6L
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
  • 包装:剪切带（CT）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.2 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1126 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:1.4W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23-6L
  • 封装/外壳:SOT-23-6
  • 快速提供G350P02LLE专业且全面的报价，Goford代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Goford品牌LOGO
更多Goford产品：
Goford公司授权代理商
Dunbar
VINATech
Trafag
IS Fusion
Bivar
G350P02LLE（制造商：Goford） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台