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G250C02D32A - Goford
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图片信息
G250C02D32A 图片
G250C02D32A
  • 制造厂家：Goford (Goford Semiconductor, 高福特)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-DFN（3.15x3.05）
  • 技术参数：MOSFET,N+P-CH,20V,-20V,6A/-4.5A,
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G250C02D32A 技术参数详情：
  • 型号:G250C02D32A
  • 品牌:Goford Semiconductor (Goford)
  • 封装:8-DFN（3.15x3.05）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET,N+P-CH,20V,-20V,6A/-4.5A,
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:-
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:8-DFN（3.15x3.05）
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