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G18NP06Y - Goford
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图片信息
G18NP06Y 图片
G18NP06Y
  • 制造厂家：Goford (Goford Semiconductor, 高福特)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:TO-252-4
  • 技术参数：MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
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G18NP06Y 技术参数详情：
  • 型号:G18NP06Y
  • 品牌:Goford Semiconductor (Goford)
  • 封装:TO-252-4
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
  • 系列:-
  • 包装:剪切带（CT）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:N 和 P 沟道，共漏
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12A，10V，45 毫欧 @ 12A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A，3.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22nC @ 10V，25nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350pF @ 30V，2610pF @ 30V
  • 功率 - 最大值:45W（Tc），50W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
  • 供应商器件封装:TO-252-4
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