射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
G120N03D32 - Goford
Goford代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Goford产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
G120N03D32 图片
G120N03D32
  • 制造厂家：Goford (Goford Semiconductor, 高福特)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-DFN（3.15x3.05）
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
  • 需要G120N03D32的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
G120N03D32 技术参数详情：
  • 型号:G120N03D32
  • 品牌:Goford Semiconductor (Goford)
  • 封装:8-DFN（3.15x3.05）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:剪切带（CT）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1089pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:20W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:8-DFN（3.15x3.05）
  • 快速提供G120N03D32专业且全面的报价，Goford代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Goford品牌LOGO
更多Goford产品：
Goford公司授权代理商
ESPROS
CompuCablePlusUSA
ZenithTek
iDTRONIC
SPI Connects
G120N03D32（制造商：Goford） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台