GD25B512MEFJRR - GigaDevice
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图片信息
GD25B512MEFJRR
制造厂家:
GigaDevice(兆易创新)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:16-SOP
技术参数:
NOR FLASH
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GD25B512MEFJRR 技术参数详情:
型号:GD25B512MEFJRR
品牌:GigaDevice Semiconductor (HK) Limited (GigaDevice,兆易创新)
封装:16-SOP
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:NOR FLASH
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
南皇电子 可编程:-
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NOR(SLC)
存储容量:512Mb
存储器组织:64M x 8
存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR
时钟频率:133 MHz
写周期时间 - 字,页:140s,2ms
访问时间:6 ns
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
供应商器件封装:16-SOP
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GD25B512MEFJRR
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