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NVG033A10TC - GeneSiC
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图片信息
NVG033A10TC 图片
NVG033A10TC
  • 制造厂家：GeneSiC
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:6-PQFN（3x5）
  • 技术参数：GANFET DISCRETE 100V 3.3MOHM PQF
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NVG033A10TC 技术参数详情：
  • 型号:NVG033A10TC
  • 品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
  • 封装:6-PQFN（3x5）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:GANFET DISCRETE 100V 3.3MOHM PQF
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）:100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），76A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.9V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）:+6V，-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:6-PQFN（3x5）
  • 封装/外壳:6-PowerTQFN
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