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NV6012C-RA - GeneSiC
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图片信息
NV6012C-RA 图片
NV6012C-RA
  • 制造厂家：GeneSiC
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-QFN（5x6）
  • 技术参数：GANFAST DISCRETE 650V 450MOHM PQ
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NV6012C-RA 技术参数详情：
  • 型号:NV6012C-RA
  • 品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
  • 封装:8-QFN（5x6）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:GANFAST DISCRETE 650V 450MOHM PQ
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）:700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 1.35A，7V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 2.3mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.85 nC @ 6 V
  • Vgs（最大值）:+7V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:28 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:25.4W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-QFN（5x6）
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
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