MURTA600120 - GeneSiC
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图片信息
MURTA600120
制造厂家:
GeneSiC
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列,封装:三塔
技术参数:
DIODE MOD GP 1200V 300A 3TOWER
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MURTA600120 技术参数详情:
型号:MURTA600120
品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
封装:三塔
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
描述:DIODE MOD GP 1200V 300A 3TOWER
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
二极管配置:1 对共阴极
技术:标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.6 V @ 300 A
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr):-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 A @ 1200 V
工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:三塔
供应商器件封装:三塔
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MURTA600120
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