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MURT20010R - GeneSiC
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图片信息
MURT20010R 图片
MURT20010R
  • 制造厂家：GeneSiC
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列，封装:三塔
  • 技术参数：DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
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MURT20010R 技术参数详情：
  • 型号:MURT20010R
  • 品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
  • 封装:三塔
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 二极管配置:1 对共阳极
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:100A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 100 A
  • 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr):75 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 A @ 50 V
  • 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:三塔
  • 供应商器件封装:三塔
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