MBR40035CTRL - GeneSiC
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图片信息
MBR40035CTRL
制造厂家:
GeneSiC
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列,封装:双塔架
技术参数:
DIODE MOD SCHOTT 35V 200A 2TOWER
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MBR40035CTRL 技术参数详情:
型号:MBR40035CTRL
品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
封装:双塔架
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
描述:DIODE MOD SCHOTT 35V 200A 2TOWER
系列:-
包装:散装
产品状态:停产
二极管配置:1 对共阳极
技术:肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):35 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 A
速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr):-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 mA @ 35 V
工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:双塔架
供应商器件封装:双塔架
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MBR40035CTRL
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