GBJ6D - GeneSiC
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图片信息
GBJ6D
制造厂家:
GeneSiC
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 桥式整流器,封装:GBJ
技术参数:
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBJ
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GBJ6D 技术参数详情:
型号:GBJ6D
品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
封装:GBJ
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 桥式整流器
描述:BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBJ
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
二极管类型:单相
技术:标准
电压 - 峰值反向(最大值):200 V
电流 - 平均整流 (Io):6 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 3 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 200 V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:4-SIP,GBJ
供应商器件封装:GBJ
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