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GBJ35G - GeneSiC
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图片信息
GBJ35G 图片
GBJ35G
  • 制造厂家：GeneSiC
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 桥式整流器，封装:GBJ
  • 技术参数：BRIDGE RECT 1PHASE 400V 35A GBJ
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GBJ35G 技术参数详情：
  • 型号:GBJ35G
  • 品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
  • 封装:GBJ
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 桥式整流器
  • 描述:BRIDGE RECT 1PHASE 400V 35A GBJ
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 二极管类型:单相
  • 技术:标准
  • 电压 - 峰值反向（最大值）:400 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):35 A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 17.5 A
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 A @ 400 V
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:4-SIP，GBJ
  • 供应商器件封装:GBJ
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