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GA35XCP12-247 - GeneSiC
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图片信息
GA35XCP12-247 图片
GA35XCP12-247
  • 制造厂家：GeneSiC
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:TO-247AB
  • 技术参数：IGBT PT 1200V TO-247AB
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GA35XCP12-247 技术参数详情：
  • 型号:GA35XCP12-247
  • 品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
  • 封装:TO-247AB
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT PT 1200V TO-247AB
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:PT
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:-
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):35 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，35A
  • 功率 - 最大值:-
  • 开关能量:2.66mJ（导通），4.35mJ（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:50 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:-
  • 测试条件:800V，35A，22欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):36 ns
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:TO-247AB
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