射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
G3R30MT12J-TR - GeneSiC
GeneSiC代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
GeneSiC产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
G3R30MT12J-TR 图片
G3R30MT12J-TR
  • 制造厂家：GeneSiC
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-263-7
  • 技术参数：1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
  • 需要G3R30MT12J-TR的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
G3R30MT12J-TR 技术参数详情：
  • 型号:G3R30MT12J-TR
  • 品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
  • 封装:TO-263-7
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:最后售卖
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 45A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 24mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:118 nC @ 15 V
  • Vgs（最大值）:+22V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3863 pF @ 800 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:408W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-263-7
  • 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
  • 快速提供G3R30MT12J-TR专业且全面的报价，GeneSiC代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
GeneSiC品牌LOGO
更多GeneSiC产品：
GeneSiC公司授权代理商
Mstar
SunFounder
CR Magnetics
Powerbox
Jacob
G3R30MT12J-TR（制造商：GeneSiC） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台