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G2R1000MT33J - GeneSiC
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图片信息
G2R1000MT33J 图片
G2R1000MT33J
  • 制造厂家：GeneSiC
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-263-7
  • 技术参数：SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
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G2R1000MT33J 技术参数详情：
  • 型号:G2R1000MT33J
  • 品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
  • 封装:TO-263-7
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:3300 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 2mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 20 V
  • Vgs（最大值）:+20V，-5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:238 pF @ 1000 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:74W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-263-7
  • 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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