SGP5N60RUFDTU - Fairchild
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图片信息
SGP5N60RUFDTU
制造厂家:
Fairchild(ONSEMI安森美,仙童)
类别封装:
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-220-3
技术参数:
IGBT 600V 8A 60W TO220
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SGP5N60RUFDTU 技术参数详情:
制造商产品型号:SGP5N60RUFDTU
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT 600V 8A 60W TO220
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:停产
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):8A
电流-集电极脉冲(Icm):15A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,5A
功率-最大值:60W
开关能量:88J(开),107J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:16nC
25°C时Td(开/关)值:13ns/34ns
测试条件:300V,5A,40 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):55ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-220-3
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