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HGT1S10N120BNST - Fairchild
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图片信息
HGT1S10N120BNST 图片
HGT1S10N120BNST
  • 制造厂家：Fairchild（ONSEMI安森美，仙童）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:TO-263（D2PAK）
  • 技术参数：IGBT NPT 1200V 35A TO-263
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HGT1S10N120BNST 技术参数详情：
  • 型号:HGT1S10N120BNST
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:TO-263（D2PAK）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT NPT 1200V 35A TO-263
  • 系列:-
  • 包装:剪切带（CT）
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:NPT
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A
  • 功率 - 最大值:298 W
  • 开关能量:320J（导通），800J（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:100 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/165ns
  • 测试条件:960V，10A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
  • 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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