FGPF30N30TDTU - Fairchild
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图片信息
FGPF30N30TDTU
制造厂家:
Fairchild(ONSEMI安森美,仙童)
类别封装:
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-220-3 整包
技术参数:
IGBT 300V 44.6W TO220F
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FGPF30N30TDTU 技术参数详情:
制造商产品型号:FGPF30N30TDTU
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT 300V 44.6W TO220F
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:停产
IGBT类型:沟道
电压-集射极击穿(最大值):300V
电流-集电极(Ic)(最大值):-
电流-集电极脉冲(Icm):80A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.5V @ 15V,10A
功率-最大值:44.6W
开关能量:-
输入类型:标准
栅极电荷:65nC
25°C时Td(开/关)值:22ns/130ns
测试条件:200V,20A,20 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):22ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-220-3 整包
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