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Fairchild产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
FGPF30N30TDTU 图片
  • 制造厂家:Fairchild(ONSEMI安森美,仙童)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-220-3 整包
  • 技术参数:IGBT 300V 44.6W TO220F
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FGPF30N30TDTU 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FGPF30N30TDTU
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:IGBT 300V 44.6W TO220F
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:沟道
  • 电压-集射极击穿(最大值):300V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):-
  • 电流-集电极脉冲(Icm):80A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.5V @ 15V,10A
  • 功率-最大值:44.6W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:65nC
  • 25°C时Td(开/关)值:22ns/130ns
  • 测试条件:200V,20A,20 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):22ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-220-3 整包
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