FDU068AN03L - Fairchild
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图片信息
FDU068AN03L
制造厂家:
Fairchild(ONSEMI安森美,仙童)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:I-PAK
技术参数:
MOSFET N-CH 30V 17A/35A IPAK
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FDU068AN03L 技术参数详情:
制造商产品型号:FDU068AN03L
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 30V 17A/35A IPAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:PowerTrench
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):17A(Ta),35A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.7 毫欧 @ 35A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):60nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2525pF @ 15V
FET功能:-
功率耗散(最大值):80W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:I-PAK
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