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FDS4435BZ_F085 - Fairchild
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图片信息
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FDS4435BZ_F085
  • 制造厂家：Fairchild（ONSEMI安森美，仙童）
  • 类别封装：单端场效应管，8-SOIC
  • 技术参数：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
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FDS4435BZ_F085 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：FDS4435BZ_F085
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
  • 系列：PowerTrench
  • FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.8A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 8.8A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1845pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SOIC
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