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FDR842P - Fairchild
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图片信息
FDR842P 图片
FDR842P
  • 制造厂家：Fairchild（ONSEMI安森美，仙童）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:SuperSOT-8
  • 技术参数：MOSFET P-CH 12V 11A SUPERSOT8
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FDR842P 技术参数详情：
  • 型号:FDR842P
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:SuperSOT-8
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 12V 11A SUPERSOT8
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 11A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）:±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5350 pF @ 6 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SuperSOT-8
  • 封装/外壳:8-LSOP（0.130
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