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FDP032N08B_F102 - Fairchild
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图片信息
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FDP032N08B_F102
  • 制造厂家：Fairchild（ONSEMI安森美，仙童）
  • 类别封装：单端场效应管，TO-220
  • 技术参数：MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
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FDP032N08B_F102 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：FDP032N08B_F102
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
  • 系列：PowerTrench
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：80V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.3 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：144nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10965pF @ 40V
  • 功率 - 最大值：263W
  • 安装类型：通孔
  • 产品封装：TO-220-3
  • 供应商器件封装：TO-220
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