FCPF11N65 - Fairchild
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图片信息
FCPF11N65
制造厂家:
Fairchild(ONSEMI安森美,仙童)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220F
技术参数:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
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FCPF11N65 技术参数详情:
制造商产品型号:FCPF11N65
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:SuperFET
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):650V
25°C时电流-连续漏极(Id):11A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):380 毫欧 @ 5.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):52nC @ 10V
Vgs(最大值):-
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1490pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):36W(Tc)
工作温度:-
安装类型:通孔
器件封装:TO-220F
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