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EPC2110ENGRT - EPC
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图片信息
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EPC2110ENGRT
  • 制造厂家：EPC (Efficient Power Conversion, 宜普电源转换)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:模具
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
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EPC2110ENGRT 技术参数详情：
  • 型号:EPC2110ENGRT
  • 品牌:EPC (EPC)
  • 封装:模具
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 配置:2 N 沟道（双）共源
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:120V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 4A，5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 700A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.8nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:80pF @ 60V
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:模具
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