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EPC2100ENGRT - EPC
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图片信息
EPC2100ENGRT 图片
EPC2100ENGRT
  • 制造厂家：EPC (Efficient Power Conversion, 宜普电源转换)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:模具
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
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EPC2100ENGRT 技术参数详情：
  • 型号:EPC2100ENGRT
  • 品牌:EPC (EPC)
  • 封装:模具
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 配置:2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），40A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:模具
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