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ZXTP2008ZQTA - Diodes
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图片信息
ZXTP2008ZQTA 图片
ZXTP2008ZQTA
  • 制造厂家：Diodes（达尔科技，美台半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管，封装:SOT-89-3
  • 技术参数：TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3
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ZXTP2008ZQTA 技术参数详情：
  • 型号:ZXTP2008ZQTA
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-89-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:5.5 A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:175mV @ 500mA，5.5A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 1A，1V
  • 功率 - 最大值:1.5 W
  • 频率 - 跃迁:110MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商器件封装:SOT-89-3
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