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ZX3CD3S1M832TA - Diodes
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图片信息
ZX3CD3S1M832TA 图片
ZX3CD3S1M832TA
  • 制造厂家：Diodes（达尔科技，美台半导体）
  • 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：8-VDFN
  • 技术参数：TRANS PNP 40V 3A 8-MLP
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ZX3CD3S1M832TA 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：ZX3CD3S1M832TA
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：TRANS PNP 40V 3A 8-MLP
  • 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：PNP + 二极管（隔离式）
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：3A
  • 电压-集射极击穿（最大值）：40V
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：370mV @ 250mA，2.5A
  • 电流-集电极截止（最大值）：25nA
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：60 @ 1.5A，2V
  • 功率-最大值：3W
  • 频率-跃迁：190MHz
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-VDFN
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