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DMTH31M1LPSWQ-13 - Diodes
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图片信息
DMTH31M1LPSWQ-13 图片
DMTH31M1LPSWQ-13
  • 制造厂家：Diodes（达尔科技，美台半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:PowerDI5060-8（UX 类）
  • 技术参数：IC
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DMTH31M1LPSWQ-13 技术参数详情：
  • 型号:DMTH31M1LPSWQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:PowerDI5060-8（UX 类）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:IC
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Ta），130A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5398 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:1.8W
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
  • 供应商器件封装:PowerDI5060-8（UX 类）
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
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