射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
DMPH4029LFGQ-13 - Diodes
Diodes代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Diodes产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
DMPH4029LFGQ-13 图片
DMPH4029LFGQ-13
  • 制造厂家：Diodes（达尔科技，美台半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:POWERDI3333-8
  • 技术参数：MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
  • 需要DMPH4029LFGQ-13的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
DMPH4029LFGQ-13 技术参数详情：
  • 型号:DMPH4029LFGQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:POWERDI3333-8
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta），22A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29mOhm @ 3A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1626 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:POWERDI3333-8
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 快速提供DMPH4029LFGQ-13专业且全面的报价，Diodes代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Diodes品牌LOGO
更多Diodes产品：
Diodes公司授权代理商
Air Electro
Dow-Key
Soldered
Option NV
Bivar
DMPH4029LFGQ-13（制造商：Diodes） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台