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Diodes产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
DMN53D0LV-7 图片
  • 制造厂家:Diodes(达尔科技,美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:SOT-563
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563
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DMN53D0LV-7 技术参数详情:
  • 型号:DMN53D0LV-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-563
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):50V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):0.6nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):46pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:430mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装:SOT-563
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