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DMN32D0LFB4-7B - Diodes
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图片信息
DMN32D0LFB4-7B 图片
DMN32D0LFB4-7B
  • 制造厂家：Diodes（达尔科技，美台半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:X2-DFN1006-3
  • 技术参数：MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
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DMN32D0LFB4-7B 技术参数详情：
  • 型号:DMN32D0LFB4-7B
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X2-DFN1006-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):440mA（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 100mA，4V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）:±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:44.8 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
  • 封装/外壳:3-XFDFN
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