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DMJ70H900HJ3 - Diodes
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图片信息
DMJ70H900HJ3 图片
DMJ70H900HJ3
  • 制造厂家：Diodes（达尔科技，美台半导体）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-251
  • 技术参数：MOSFET N-CH 700V 7A TO251
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DMJ70H900HJ3 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：DMJ70H900HJ3
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 700V 7A TO251
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：700V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 1.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18.4nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：603pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：68W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-251
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