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D3V3S1B2LP-7B - Diodes
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Diodes产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
D3V3S1B2LP-7B 图片
D3V3S1B2LP-7B
  • 制造厂家：Diodes（达尔科技，美台半导体）
  • 类别封装：电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管，封装:X1-DFN1006-2
  • 技术参数：TVS DIODE 3.3VWM 9.5V X1DFN10062
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D3V3S1B2LP-7B 技术参数详情：
  • 型号:D3V3S1B2LP-7B
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 3.3VWM 9.5V X1DFN10062
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态（典型值）:3.3V（最大）
  • 电压 - 击穿（最小值）:3.8V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:9.5V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):50A（8/20s）
  • 功率 - 峰值脉冲:410W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:118pF @ 1MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402（1006 公制）
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
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