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1N5229B-G - Comchip
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图片信息
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1N5229B-G
  • 制造厂家：Comchip（典琦科技）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管，封装:DO-35
  • 技术参数：DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
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1N5229B-G 技术参数详情：
  • 型号:1N5229B-G
  • 品牌:Comchip Technology (Comchip)
  • 封装:DO-35
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
  • 系列:-
  • 包装:带盒（TB）
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):4.3 V
  • 容差:-
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗（最大值）(Zzt):22 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
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