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NE3512S02-T1C-A - CEL
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图片信息
NE3512S02-T1C-A 图片
NE3512S02-T1C-A
  • 制造厂家：CEL（California Eastern Laboratories）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET，封装:S02
  • 技术参数：RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
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NE3512S02-T1C-A 技术参数详情：
  • 型号:NE3512S02-T1C-A
  • 品牌:CEL (CEL)
  • 封装:S02
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
  • 描述:RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:GaAs HJ-FET
  • 配置:-
  • 频率:12GHz
  • 增益:13.5dB
  • 电压 - 测试:2 V
  • 额定电流（安培）:70mA
  • 噪声系数:0.35dB
  • 电流 - 测试:10 mA
  • 功率 - 输出:-
  • 电压 - 额定:4 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:4-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装:S02
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