NE3511S02-T1C-A - CEL
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图片信息
NE3511S02-T1C-A
制造厂家:
CEL(California Eastern Laboratories)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET,封装:S02
技术参数:
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
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NE3511S02-T1C-A 技术参数详情:
型号:NE3511S02-T1C-A
品牌:CEL (CEL)
封装:S02
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
描述:RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
技术:GaAs HJ-FET
配置:-
频率:12GHz
增益:13.5dB
电压 - 测试:2 V
额定电流(安培):70mA
噪声系数:0.3dB
电流 - 测试:10 mA
功率 - 输出:-
电压 - 额定:4 V
等级:-
资质:-
安装类型:-
封装/外壳:4-SMD,扁平引线
供应商器件封装:S02
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