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KPDE086S-H54P-B - CEL
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图片信息
KPDE086S-H54P-B 图片
KPDE086S-H54P-B
  • 制造厂家：CEL（California Eastern Laboratories）
  • 类别封装：传感器，变送器 > 光学传感器 > 光电二极管，封装:
  • 技术参数：SENSOR PHOTODIODE TO39
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KPDE086S-H54P-B 技术参数详情：
  • 型号:KPDE086S-H54P-B
  • 品牌:CEL (CEL)
  • 封装:
  • 类目:传感器，变送器 > 光学传感器 > 光电二极管
  • 描述:SENSOR PHOTODIODE TO39
  • 系列:-
  • 包装:袋
  • 产品状态:在售
  • 波长:-
  • 颜色 - 增强:-
  • 频谱范围:900nm ~ 1700nm
  • 二极管类型:-
  • 不同 nm 时响应度:0.9 A/W @ 1310nm，1 A/W @ 1550nm
  • 响应时间:-
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:20 V
  • 电流 - 暗（典型值）:1nA
  • 有效面积:0.86mm
  • 视角:-
  • 工作温度:-40°C ~ 70°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-39
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