AEB475M2GK32T-F - CDE
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图片信息
AEB475M2GK32T-F
制造厂家:
CDE (Cornell Dubilier, Knowles)
类别封装:
电容器 > 铝电解电容器,封装:
技术参数:
CAP ALUM 4.7UF 20% 400V SMD
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AEB475M2GK32T-F 技术参数详情:
型号:AEB475M2GK32T-F
品牌:CDE公司 (Cornell Dubilier, Knowles)
封装:
类目:电容器 > 铝电解电容器
描述:CAP ALUM 4.7UF 20% 400V SMD
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
电容:4.7 F
容差:±20%
电压 - 额定:400 V
ESR(等效串联电阻):-
不同温度时使用寿命:4000 小时 @ 105°C
工作温度:-25°C ~ 105°C
极化:极化
等级:-
应用:通用
不同低频时纹波电流:25 mA @ 120 Hz
不同高频时纹波电流:50 mA @ 100 kHz
阻抗:5.5 Ohms
引线间距:-
大小 / 尺寸:0.394 直径(10.00mm)
高度 - 安装(最大值):0.650(16.50mm)
表面贴装焊盘尺寸:0.406 长 x 0.406 宽(10.30mm x 10.30mm)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:径向,Can - SMD
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